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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004 Sun, LL; Yan, FW; Gao, HY; Zhang, HX; Zeng, YP; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  SAPPHIRE  PROPERTY   Spectroscopy of long wavelength coupled quantum dots 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 17, 页码: art. no. 175102 Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Dou, XM; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：86/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-SPIN  EMISSION  ISLANDS  GROWTH  STATES   Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1 Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Yang, JK; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 HVPE  GaN  sapphire  nonpolar  semipolar   Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272 Zhao, YM; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Effects of the morphology of ZnO/Ag interface on the surface-plasmon-enhanced emission of ZnO films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 20, 页码: art. no. 205101 作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：84/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon