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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004 Sun, LL; Yan, FW; Gao, HY; Zhang, HX; Zeng, YP; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  SAPPHIRE  PROPERTY   Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048 Zhang, ML; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：49/3  |  提交时间：2010/03/08 TRANSPORT  PROTON  HEMTS   Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1034-1037 Hao, XP; Wang, BY; Yu, RS; Wei, L; Wang, H; Zhao, DG; Hao, WC 收藏  |  浏览/下载：70/2  |  提交时间：2010/03/08 SILICON-OXIDE FILMS  POSITRON-ANNIHILATION  POROUS SILICON  THIN-FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYERS  BEAM   Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/08 metal-organic chemical vapour deposition   Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 Chen DY; Wang X; Wei DY; Wang T; Xu J; Ma ZY; Li W; Chen KJ; Shi WH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08 PECVD   Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As 期刊论文 ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695 作者:  Gan HD 收藏  |  浏览/下载：171/43  |  提交时间：2010/03/08 Magnetic analysis  magnetic semiconductors  molecular-beam epitaxial growth