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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1 Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Yang, JK; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 HVPE  GaN  sapphire  nonpolar  semipolar   Oxygen pressure dependences of structure and properties of ZnO films deposited on amorphous glass substrates by pulsed laser deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 2225-2229 part 1 Zhu, BL; Zhao, XZ; Xu, S; Su, FH; Li, GH; Wu, XG; Wu, J; Wu, R; Liu, J 收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2010/03/08 laser ablation  zinc oxide  deposition process  optical properties  electrical properties and measurements