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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of field emission properties in La-doped ZnO films prepared by magnetron sputtering 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2657-2660 Li, J; Wang, RZ; Lan, W; Zhang, XW; Duan, ZQ; Wang, B; Yan, H 收藏  |  浏览/下载：53/2  |  提交时间：2010/03/08 CVD DIAMOND FILMS  WORK FUNCTION  PHOTOCATALYTIC ACTIVITY  AQUEOUS SUSPENSION  THIN-FILMS  DEGRADATION  MICROSCOPY   Investigation of native defects and property of bulk ZnO single crystal grown by a closed chemical vapor transport method 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645 Wei, XC; Zhao, YW; Dong, ZY; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/08 defects  X-ray diffraction  growth from vapor  oxides  semiconducting II-VI materials   A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066 Fan, HB; Yang, SY; Zhang, PF; Wei, HY; Liu, XL; Jiao, CM; Zhu, QS; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：80/3  |  提交时间：2010/03/08 SINGLE-CRYSTAL  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  NANORODS  FILMS   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE