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科研机构
半导体研究所 [22]
上海微系统与信息技术... [6]
厦门大学 [1]
物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [29]
学位论文 [1]
发表日期
2007 [30]
学科主题
光电子学 [11]
半导体材料 [5]
半导体物理 [2]
Materials ... [1]
Materials ... [1]
Optics [1]
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共30条,第1-10条
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发表日期:2007
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80
85
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Butt-coupled movpe growth for high-performance electro-absorption modulator integrated with a dfb laser
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 297-301
作者:
Cheng, YuanBing
;
Pan, JiaoQing
;
Liang, Song
;
Feng, Wen
;
Liao, Zaiyi
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Coupling efficiency
Butt-joint scheme
Metal-organic vapor phase epitaxy
Selective area growth (sag)
Semiconducting indium phosphide
Laser diodes
Self-organization of 3D triangular GaN nanoislands and the shape variation to hexagonal
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp071803c, 2007
Fang, Zhilai
;
Kang, Junyong
;
方志来
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2013/12/12
THIN-FILM GROWTH
NITRIDE
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
GAN(0001)
EVOLUTION
SURFACES
ISLANDS
BLUE
Growth of algan epitaxial film with high al content by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 774-777
作者:
Wang Xiao-Lan
;
Zhao De-Gang
;
Yang Hui
;
Liang Jun-Wu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Fabrication of ingaalas mqw buried heterostructure lasers by narrow stripe selective movpe
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 361-365
作者:
Feng, W.
;
Pan, J. Q.
;
Wang, L. F.
;
Bian, J.
;
Wang, B. J.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
High-resolution X-ray diffraction analysis of InN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
POWDER DIFFRACTION, 2007, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 219
Wang, WJ
;
Sugita, K
;
Nagai, Y
;
Houchin, Y
;
Hashimoto, A
;
Yamamoto, A
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/09/17
Optical properties of gas source MBE grown AlInP on GaAs
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2007, 卷号: 139, 期号: 2-3, 页码: 246-250
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, AZ
;
Li, H
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TANDEM SOLAR-CELLS
PHOTOLUMINESCENCE
BAND
DEPENDENCE
INTENSITY
ALLOYS
Stress evolution influenced by oxide charges on GaN metal-organic chemical vapor deposition on silicon-on-insulator substrate
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2007, 卷号: 89, 期号: 1, 页码: 177-181
Sun, J
;
Chen, J
;
Wang, X
;
Wang, J
;
Liu, W
;
Zhu, J
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
GROWTH
MOCVD
Behavior of Si incorporation in AlxGa1-xAs(x=0 to 1) grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2007, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 1-+
Li, H
;
Li, AZ
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Qi, M
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
DOPED ALXGA1-XAS
MBE
Strain compensated AlInGaAs/InGaAs/InAs triangular quantum wells for lasing wavelength beyond 2 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 3237-3240
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Liu, S
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
DIODE-LASERS
GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007
孙佳胤
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2012/03/06
GaN
SOI
MOCVD
柔性衬底
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