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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Type II mid-infrared quantum well laser 专利 专利号: US7280576, 申请日期: 2007-10-09, 公开日期: 2007-10-09 作者:  CALCOTT, PHILIP DOUGLAS JOHN 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이 专利 专利号: KR1020070059853A, 申请日期: 2007-06-12, 公开日期: 2007-06-12 作者:  김기수;  한원석;  김성복;  오대곤 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Distributed Bragg reflector (DBR) structure in vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) diode, method on manufacturing the same, and VCSEL diode 专利 专利号: US20070127535A1, 申请日期: 2007-06-07, 公开日期: 2007-06-07 作者:  KIM, KI SOO;  HAN, WONK SEOK;  KIM, SUNG BOCK;  OH, DAE KON 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31