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科研机构
半导体研究所 [23]
内容类型
期刊论文 [22]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [23]
学科主题
光电子学 [5]
半导体物理 [5]
半导体材料 [3]
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发表日期:2007
专题:半导体研究所
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Band gap narrowing in heavily b doped si1-xgex strained layers
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659
作者:
Yao Fei
;
Xue Chun-Lai
;
Cheng Bu-Wen
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Sige layer
Strain
Band gap narrowing
Jain-roulston model
Anisotropic zeeman splitting and stark shift of in(1-y)mn(y)as(1-x)n(x) oblate quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Zhang, X. W.
;
Fan, W. J.
;
Li, S. S.
;
Xia, J. B.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Determination of the valence band offset of wurtzite inn/zno heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 16, 页码: 3
作者:
Zhang, Riqing
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Thermally induced fe atom transition from substitutional to interstitial sites in inp and its influence on material property
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
作者:
Zhao You-Wen
;
Miao Shan-Shan
;
Dong Zhi-Yuan
;
Lue Xiao-Hong
;
Deng Ai-Hong
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Fe activation
Annealing
Semi-insulating
Effect of heavy boron doping on the electrical characteristics of sigehbts
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 890-895
作者:
Yao, Fei
;
Xue, Chun-Lai
;
Cheng, Bu-Wen
;
Wang, Qi-Ming
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Observations on subband electron properties in in0.65ga0.35as/in0.52al0.48as mm-hemt with si delta-doped on the barriers
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147
作者:
Zhou Wen-Zheng
;
Lin Tie
;
Shang Li-Yan
;
Huang Zhi-Ming
;
Zhu Bo
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Sdh oscillation
Two-dimensional electron gas
Fft analysis
Self-consistently calculation
An n-type sige/ge qc structure utilizing the deep ge quantum well for electron at the gamma point
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 769-773
作者:
Han, Genquan
;
Yu, Jinzhong
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Optical properties of the e-0+delta(0) energy level higher than the bandgap of gaas studied by micro-photoluminescence technique
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217
作者:
Bao Zhi-Hua
;
Jing Wei-Ping
;
Luo Xiang-Dong
;
Tan Ping-Heng
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Semi-insulated gaas
Micro-photoluminescence
Spin-orbit split-off valence band
High and electric field tunable curie temperature in diluted magnetic semiconductor nanowires and nanoslabs
期刊论文
Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 25, 页码: 3
作者:
Zhang, Xiu-Wen
;
Fan, Wei-Jun
;
Zheng, Yu-Hong
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of heavily doped boron on bandgap narrowing of strained sige layers
期刊论文
Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1686-1689
作者:
Yao Fei
;
Xue Chun-Lai
;
Cheng Bu-Wen
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
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