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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 干法刻蚀和离子注入影响III-V族半导体量子阱发光特性研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007 曹萌 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2012/03/06 干法刻蚀  离子注入  光致发光  气态源分子束外延  量子阱   微型直接甲醇燃料电池的研究进展 期刊论文 电池, 2007, 期号: 01 王哲津; 石荣; 王连卫 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上硅  离子注入  总剂量辐射效应  阈值电压漂移   光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析 期刊论文 物理学报, 2007, 期号: 07 贾婉丽; 施卫; 纪卫莉; 马德明 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 垂直腔面发射激光器  离子注入  退火   Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried oxides by silicon ion implantation 期刊论文 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 388-390 He, W; Zhang, ZX; Zhang, EX; Qian, C; Tian, H; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451 Zheng, ZS; Zhang, EX; Liu, ZL; Zhang, ZX; Li, N; Li, GH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTING NITROGEN  RADIATION HARDNESS  SOI TECHNOLOGIES  IMPROVEMENT  LAYER  ION   Effect of implantation dose and annealing time on the formation of si nanocrystals embedded in thermal oxide 期刊论文 Ion-Beam-Based Nanofabrication, 2007, 卷号: 1020, 页码: 195-200 Qian, C; Zhang, ZX; Zhang, F; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON  PHOTOLUMINESCENCE  NANOCLUSTERS  HOLE   Research on ion implantation effect on SIMOX material modification technique by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 257, 页码: 199-202 Zhanga, EX; Zhang, ZX; Chen, J; Song, ZR; Yang, H; He, W; Tian, H; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDES  OXYGEN  NITROGEN  HARDNESS  DEFECTS  A-SIO2   干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2007 曹萌   收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/03/06 干法刻蚀  离子注入  光致发光  气态源分子束外延  量子阱