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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2007    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of the valence band offset of wurtzite InN/ZnO heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 16, 页码: art.no.162104 Zhang RQ (Zhang Riqing); Zhang PF (Zhang Panfeng); Kang TT (Kang Tingting); Fan HB (Fan Haibo); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Wei HY (Wei Hongyuan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/29 INN   Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7335-7338 Zhang, X; Wang, X; Xiao, H; Yang, C; Ran, J; Wang, C; Hou, Q; Li, J 收藏  |  浏览/下载：139/1  |  提交时间：2010/03/08 BAND-GAP  INN   Band gap narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659 Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/29 SiGe layer