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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of HfSiO film prepared by electron beam evaporation for high-k gate dielectric applications 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8073-8076 Cheng, XH; Song, ZR; Jiang, J; Yu, YH; Yang, WW; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 ATOMIC-LAYER DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  SI(100)  OXIDE  HFO2   A comparison of pulsed-laser-deposited and ion-beam-enhanced-deposited AlN thin films for SOI application 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 124-128 Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  ALUMINUM NITRIDE  ELECTRICAL-PROPERTIES  SILICON  INSULATOR  TEMPERATURE  FABRICATION  SI(111)  AIN   Gas source MBE growth and doping characteristics of AlInP on GaAs 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 131, 期号: 1-3, 页码: 49-53 Gu, Y; Zhang, YG(张永刚）; Li, H; Li, AZ; Zhu, C 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TANDEM SOLAR-CELLS  BERYLLIUM  JUNCTION  SILICON  GAINP   Preparation of high-quality Hf-aluminate films by EB-PVD 期刊论文 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2006, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 1192-1194 Cheng, XH; Song, ZR; Yu, YH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 ATOMIC-LAYER DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  GATE DIELECTRICS  SI(100)  (HFO2)(X)(AL2O3)(1-X)  SI   Thermal annealing effects on the structure and electrical properties of Al2O3 gate dielectrics on fully depleted SiGe on insulator 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2006, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 1151-1155 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Shen, QW; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  ATOMIC-LAYER DEPOSITION  INTERFACIAL CHARACTERISTICS  STRAINED-SI  THIN-FILMS  ULTRATHIN  SILICON  HETEROSTRUCTURE  OXIDATION  CHANNEL