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物理研究所 [6]
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期刊论文 [6]
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2006 [6]
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发表日期:2006
专题:物理研究所
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Preparation and microstructure of tantalum nitride thin film by cathodic arc deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 3018
Li, L
;
Niu, EW
;
Lv, GH
;
Feng, WR
;
Gu, WC
;
Chen, GL
;
Zhang, GL
;
Fan, SH
;
Liu, CZ
;
Yang, SZ
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提交时间:2013/09/24
BEAM-ASSISTED DEPOSITION
DIFFUSION BARRIER
TAN
METALLIZATION
IMPLANTATION
COPPER
CU
Pressure-induced metallization and structural evolution of Cu3N
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2006, 卷号: 243, 期号: 3, 页码: 573
Zhao, JG
;
Yang, LX
;
Yu, Y
;
You, SJ
;
Liu, J
;
Jin, CQ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/24
NITRIDE THIN-FILMS
COPPER-NITRIDE
PHASE-TRANSITIONS
RECORDING MEDIA
GROWTH
REO3
TIN
Preparation of nanocones for immobilizing DNA probe by a low-temperature plasma plume
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 89, 期号: 12
Chen, GL
;
Zhao, WJ
;
Chen, SH
;
Zhou, MY
;
Feng, WR
;
Gu, WC
;
Yang, SZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/24
SURFACE
ALLYLAMINE
POLYMERS
High pressure studies on silane to 210 GPa at 300 K: optical evidence of an insulator-semiconductor transition
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2006, 卷号: 18, 期号: 37, 页码: 8573
Sun, LL
;
Ruoff, AL
;
Zha, CS
;
Stupian, G
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/17
X-RAY
METALLIZATION
HYDROGEN
SULFUR
METAL
SUPERCONDUCTIVITY
DIAMOND
OXYGEN
XENON
Metallization of Cu3N semiconductor under high pressure
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 426
Yang, LX
;
Zhao, JG
;
Yu, Y
;
Li, FY
;
Yu, RC
;
Jin, CQ
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提交时间:2013/09/18
INDUCED SUPERCONDUCTIVITY
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
期刊论文
ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, 2006, 卷号: 514-516, 页码: 18
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
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提交时间:2013/09/23
SILICON
PECVD
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