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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [4]
学科主题
半导体物理 [4]
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共4条,第1-4条
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发表日期:2006
学科主题:半导体物理
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Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192
Kong LM
;
Cai JF
;
Wu ZY
;
Gong Z
;
Niu ZC
;
Feng ZC
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
time-resolved photoluminescence
InAs self-assembled QDs
migration of carriers
1.3 MU-M
DEPENDENT RADIATIVE DECAY
THERMAL REDISTRIBUTION
EXCITONS
RECOMBINATION
RELAXATION
LIFETIMES
EMISSION
EPITAXY
LASERS
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: art.no.011912
Sun Z
;
Xu ZY
;
Yang XD
;
Sun BQ
;
Ji Y
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
Niu ZC
收藏
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569
Sun Z (Sun Zheng)
;
Wang BR (Wang Bao-Rui)
;
Xu ZY (Xu Zhong-Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
收藏
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浏览/下载:182/36
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提交时间:2010/03/29
GaInNAs/GaAs quantum wells
optical properties
nonradiative recombination effect
time-resolved photoluminescence
PL decay dynamics
PL thermal quenching
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
EXCITATION
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