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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [4]
学科主题
半导体物理 [4]
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发表日期:2006
学科主题:半导体物理
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Optical properties of GaN wurtzite quantum wires
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3107-3115
Zhang XW
;
Xia JB
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
POLARIZATION ANISOTROPY
ELECTRONIC-STRUCTURE
ZNO NANOWIRES
PHOTOLUMINESCENCE
NANORODS
SPHERES
GROWTH
Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power
期刊论文
chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 413-415
作者:
Xiaohong Yang
;
Qin Han
;
Zhichuan Niu
;
Yingqiang Xu
;
Hongling Peng
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ENERGY-GAP
100 GAAS
INASSB
INAS1-XSBX
ALLOYS
INSB
TRANSPORT
LAYERS
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER
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