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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of GaN wurtzite quantum wires 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3107-3115 Zhang XW; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  POLARIZATION ANISOTROPY  ELECTRONIC-STRUCTURE  ZNO NANOWIRES  PHOTOLUMINESCENCE  NANORODS  SPHERES  GROWTH   Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power 期刊论文 chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 413-415 作者:  Xiaohong Yang;  Qin Han;  Zhichuan Niu;  Yingqiang Xu;  Hongling Peng 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ENERGY-GAP  100 GAAS  INASSB  INAS1-XSBX  ALLOYS  INSB  TRANSPORT  LAYERS   Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 self-assembled quantum dots  indium arsenide  bimodal size distribution  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MU-M  ISLANDS  DENSITY  EPITAXY  LASER