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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2006 [5]
学科主题
半导体材料 [5]
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发表日期:2006
学科主题:半导体材料
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Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
LAYER
Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
AlGaN/AlN/GaN
two-dimensional electron gas
MOCVD
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
POLARIZATION
TRANSISTORS
GANHEMTS
GAS
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:
Xu B
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/04/11
stress
surface structure
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN
THICKNESS
Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338
作者:
Zhang Y
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提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode
InP substrate
molecular beam epitaxy
high resolution transmission electron microscope
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
INTRINSIC BISTABILITY
CIRCUIT
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633
作者:
Xu B
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提交时间:2010/04/11
quantum dot
molecular beam epitaxy
kinetic effects
Monte Carlo simulation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERIODIC STRAIN
NUCLEATION
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