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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279 Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  BAND-GAP  EPITAXIAL LAYERS  INDIUM NITRIDE  HEXAGONAL INN  CUBIC INN  GROWTH  PARAMETERS  INGAN  PHASE   Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1900-1903 Hu ZH (Hu Zhihua); Liao XB (Liao Xianbo); Diao HW (Diao Hongwei); Cai Y (Cai Yi); Zhang SB (Zhang Shibin); Fortunato E (Fortunato Elvira); Martins R (Martins Rodrigo) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 silicon  solar cells  photovoltaics  Raman scattering  MICROCRYSTALLINE SILICON  SI NANOCRYSTALS  VOLUME FRACTION  RAMAN  CRYSTALLINITY  FILMS   Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文 20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005 Shen, WJ; Duan, Y; Wang, J; Wang, QY; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：95/18  |  提交时间：2010/03/29 ZnO  MOCVD  thermal annealing  photoluminescence  x-ray diffraction  atomic force microscopy  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISMS  EPITAXY  CVD  SI   Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Ren YY (Ren Y. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  QUANTUM-DOTS  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  NANOSTRUCTURES  SUPERLATTICES  GROWTH  SURFACE  GAAS(100)