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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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发表日期:2006
学科主题:半导体材料
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Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2010/04/11
AlGaN/AlN/GaN
two-dimensional electron gas
MOCVD
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
POLARIZATION
TRANSISTORS
GANHEMTS
GAS
Structural and optical properties of ZnO films on Si substrates using a gamma-Al2O3 buffer layer
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 269-273
Shen WJ
;
Wang J
;
Wang QY
;
Duan Y
;
Zeng YP
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ZINC-OXIDE FILMS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SAPPHIRE
GROWTH
Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338
作者:
Zhang Y
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode
InP substrate
molecular beam epitaxy
high resolution transmission electron microscope
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
INTRINSIC BISTABILITY
CIRCUIT
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