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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 期刊论文 science in china series f-information sciences, 2005, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 808-814 Wang XL; Wang CM; Hu GX; Wang JX; Ran JX; Fang CB; Li JP; Zeng YP; Li JM; Liu XY; Liu J; Qian H 收藏  |  浏览/下载：326/7  |  提交时间：2010/04/11 HEMT  GaN  MOCVD  power device  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  SURFACE PASSIVATION   Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots 期刊论文 vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Wang, XH; Li, DB; Liu, XL; Han, PD; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructure   Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318 Chen, Z; Chua, SJ; Han, PD; Liu, XL; Lu, DC; Zhu, QS; Wang, ZG; Tripathy, S 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/17 GaN