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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of GaN grown on Si(111) substrates by MOCVD 期刊论文 international journal of modern physics b, 2005, 卷号: 19, 期号: 15-17, 页码: 2610-2615 Zhang BS; Wang JF; Wang Y; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：45/13  |  提交时间：2010/03/17 GaN   Comparative study of InAs quantum dots grown on different GaAs substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 3-4, 页码: 297-304 Liang, S; Zhu, HL; Pan, JQ; Hou, LP; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：94/22  |  提交时间：2010/03/17 bimodal size distribution   Demonstration of low-cost Si-based tunable long-wavelength resonant-cavity-enhanced photodetectors 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 3, 页码: art.no.033502 Mao RW; Zuo YH; Li CB; Cheng BW; Teng XG; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/17 QUANTUM-EFFICIENCY   The effect of the AlxGa1-xN/AIN buffer layer on the properties of GaN/Si(111) film grown by NH3-MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 280, 期号: 3-4, 页码: 346-351 Zhang NH; Wang XL; Zeng YP; Xiao HL; Wang JX; Liu HX; Li JM 收藏  |  浏览/下载：41/12  |  提交时间：2010/03/17 photoluminescence   Effect of annealing on optical properties of InAs quantum dots grown by MOCVD on GaAs (100) vicinal substrates 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 2692-2695 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：77/26  |  提交时间：2010/03/17 EPITAXY   Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 271-275 作者:  Cheng Buwen;  Zuo Yuhua 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/11/23