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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2003 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:2003
专题:半导体研究所
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Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157
He J
;
Wang XD
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Qu SC
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提交时间:2010/08/12
MBE
InGaAs/GaAs
quantum dots
photoluminescence
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