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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72 Li, DB; Dong, X; Huang, JS; Liu, XL; Xu, ZY; Wang, XH; Zhang, Z; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91 Lu, YA; Liu, XL; Lu, DC; Yuan, HR; Hu, GQ; Wang, XH; Wang, ZG; Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN