×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2003
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Study on variable capacitance diode of (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction
期刊论文
vacuum, 2003, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 465-469
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Li YX
收藏
  |  
浏览/下载:435/4
  |  
提交时间:2010/08/12
nc-Si : H film
(p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction
variable capacitance diode
NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS
ELECTRICAL CHARACTERIZATION
CONDUCTION MECHANISM
SPECTROSCOPY
STATES
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/11/15
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance
期刊论文
applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214
作者:
Jin P
收藏
  |  
浏览/下载:458/3
  |  
提交时间:2010/08/12
sulfur passivation
Franz-Keldysh oscillations
undoped-n(+) type GaAs
complex Fourier transformation
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS
GAAS(001) SURFACES
GAAS(100)
PHOTOEMISSION
SPECTROSCOPY
ENHANCEMENT
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:292/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace