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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2002 [4]
学科主题
半导体物理 [2]
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发表日期:2002
专题:半导体研究所
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Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite gan epilayers
期刊论文
Applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391
作者:
Xu, SJ
;
Zheng, LX
;
Cheung, SH
;
Xie, MH
;
Tong, SY
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence from zns1-xtex alloys under hydrostatic pressure
期刊论文
Physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: 6
作者:
Fang, ZL
;
Li, GH
;
Liu, NZ
;
Zhu, ZM
;
Han, HX
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203
Fang ZL
;
Li GH
;
Liu NZ
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Ding K
;
Ge WK
;
Sou IK
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
ZNS-TE
ABSORPTION-EDGE
MIXED-CRYSTALS
ZINC-SULFIDE
THIN-FILMS
TRANSITION
EXCITONS
CENTERS
STRAINS
BAND
Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391
Xu SJ
;
Zheng LX
;
Cheung SH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
CUBIC GAN
BINDING-ENERGY
PHOTOLUMINESCENCE
PRESSURE
ELECTRON
GAAS
ALN
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