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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA