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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 面発光型半導体レーザ 专利 专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser having co-doped distributed bragg reflectors 专利 专利号: US6301281, 申请日期: 2001-10-09, 公开日期: 2001-10-09 作者:  DENG, HONGYU;  WANG, XIAOZHONG;  LEI, CHUN 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Buried hetero-structure InP-based opto-electronic device with native oxidized current blocking layer 专利 专利号: US6287884, 申请日期: 2001-09-11, 公开日期: 2001-09-11 作者:  JIE, WANG ZHI;  JIN, CHUA SOO 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP3202985B2, 申请日期: 2001-06-22, 公开日期: 2001-08-27 作者:  大歳 創;  坂野 伸治;  魚見 和久;  茅根 直樹;  佐々木 真二 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 High performance aluminum free active region semiconductor lasers 专利 专利号: US6219365, 申请日期: 2001-04-17, 公开日期: 2001-04-17 作者:  MAWST, LUKE J.;  BOTEZ, DAN;  AL-MUHANNA, ABDULRAHMAN;  WADE, JEROME KENT 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 Advanced semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum content III-V materials 专利 专利号: US6201264, 申请日期: 2001-03-13, 公开日期: 2001-03-13 作者:  KHARE, REENA;  KISH, FRED A. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/24 Visible wavelength, semiconductor optoelectronic device with a high power broad, significantly laterally uniform, diffraction limited output beam 专利 专利号: US6181721, 申请日期: 2001-01-30, 公开日期: 2001-01-30 作者:  GEELS, RANDALL S.;  PARKE, ROSS A.;  WELCH, DAVID F. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ及びその駆動方法 专利 专利号: JP3149944B2, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-03-26 作者:  原 利民 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26