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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering 期刊论文 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: suppl.s., 页码: s36-s39 Liu JW; Xie FQ; Zhong DY; Wang EG; Liu WX; Li SF; Yang H 收藏  |  浏览/下载：90/7  |  提交时间：2010/08/12 luminescence  SiC  nanocrystalline film  rf sputtering  RAMAN-SCATTERING   Longitudinal optic phonon-plasmon coupling in delta-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 1375-1377 Jiang CP; Huang ZM; Li ZF; Yu J; Guo SL; Lu W; Chu JH; Cui LJ; Zeng YP; Zhu ZP; Wang BQ 收藏  |  浏览/下载：76/2  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  ACCUMULATION LAYER  RAMAN-SCATTERING  EXCITATIONS  GA1-XINXAS  SPECTRA   Detection of efficient carrier capture in ultrathin InAs/GaAs layers using a degenerate pump-probe technique 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 18, 页码: 3923-3930 Liu B; Li Q; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：115/10  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM DOTS  ZNSE MATRIX  GAAS  SPECTROSCOPY  RELAXATION   Observation of the resonant Raman behavior of individual single-walled carbon nanotubes 会议论文 25th international conference on the physics of semiconductors (icps25), osaka, japan, sep 17-22, 2000 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 ELECTRIC-ARC TECHNIQUE  LARGE-SCALE  SCATTERING  SPECTRA  STOKES  MODES   GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：104/13  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  WAVELENGTH  GAAS   Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800 Qu B; Li SF; Hu GX; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：91/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  polarity  surface roughness  FILMS  STABILITY  GROWTH   Effects of rapid thermal annealing and SiO2 encapsulation on GaNAs/GaAs single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  OPTICAL-PROPERTIES  BAND-GAP  SUPERLATTICES  LASERS  GAAS   Impurity-free vacancy diffusion technique for InGaAsP/InP multiple quantum well laser structure 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 100-102 Han DJ; Niu JS; Zhu HL; Zhu HQ; Zhuang WR 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 High-temperature characteristics of GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661 Pan Z; Li LH; Du Y; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：69/4  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASER  OPERATION  RANGE   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：104/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION