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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：81/6  |  提交时间：2010/08/12 characterization  defects  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  nitrides  GAAS