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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A semiconductor material comprising two dopants 专利 专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27 作者:  ALISTAIR, HENDERSON, KEAN;  HARUHISA, TAKIGUCHI 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 Method for fabricating optoelectronic device in low-temperature deposition and thermal treatment 专利 专利号: US6124147, 申请日期: 2000-09-26, 公开日期: 2000-09-26 作者:  SHIM, KYU HWAN;  PAEK, MUN CHEOL;  CHO, KYOUNG IK 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Micro-lens, combination micro-lens and vertical cavity surface emitting laser, and methods for manufacturing the same 专利 专利号: CA2298492A1, 申请日期: 2000-08-19, 公开日期: 2000-08-19 作者:  SHIN HYUN-KUK;  JEON HEON-SU;  LEE JEONG-KWAN 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/31 Transverse electric (TE) polarization mode AlGaInP/GaAs red laser diodes, especially with self-pulsating operation 专利 专利号: USR36802, 申请日期: 2000-08-01, 公开日期: 2000-08-01 作者:  GEELS, RANDALL S.;  MAJOR, JR., JO S. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Forming transparent crystalline elements by cold working and using them in infrared systems 专利 专利号: WO2000036458A1, 申请日期: 2000-06-22, 公开日期: 2000-06-22 作者:  KATZIR, ABRAHAM 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 Forming transparent crystalline elements by cold working and using them in infrared systems 专利 专利号: WO2000036458A1, 申请日期: 2000-06-22, 公开日期: 2000-06-22 作者:  KATZIR, ABRAHAM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 Vertical cavity surface emitting laser with doped active region and method of fabrication 专利 专利号: US6061380, 申请日期: 2000-05-09, 公开日期: 2000-05-09 作者:  JIANG, WENBIN;  LEBBY, MICHAEL S.;  RAMDANI, JAMAL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Vertical cavity surface emitting laser with doped active region and method of fabrication 专利 专利号: US6061380, 申请日期: 2000-05-09, 公开日期: 2000-05-09 作者:  JIANG, WENBIN;  LEBBY, MICHAEL S.;  RAMDANI, JAMAL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 Laser pump cavity with improved thermal lensing control, cooling, and fracture strength and method 专利 专利号: AU714504B2, 申请日期: 2000-04-20, 公开日期: 2000-05-04 作者:  BRUESSELBACH, HANS W.;  BYREN, ROBERT W.;  SUMIDA, DAVID S. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Method and apparatus for diffusing zinc into groups III-V compound semiconductors crystals 专利 专利号: EP0977247A2, 申请日期: 2000-02-02, 公开日期: 2000-02-02 作者:  IGUCHI, YASUHIRO, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC;  SOWA, SOSUKE, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30