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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation of inas quantum dots on low-temperature gaas epi-layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Wang, H;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dot  Low-temperature gaas  As precipitates  Annealing  Tem  Pl   Hydrogen-dependent lattice dilation in gan 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 作者:  Zhang, JP;  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS