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科研机构
上海微系统与信息技术... [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2000 [3]
学科主题
Physics, M... [3]
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发表日期:2000
学科主题:Physics, Multidisciplinary
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High current gain In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with double spacers grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 915-917
Chen, XJ
;
Chen, JX
;
Chen, YQ
;
Peng, P
;
Yang, QK
;
Li, AZ
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提交时间:2012/03/24
CURRENT TRANSPORT
GAAS BASE
HBTS
RECOMBINATION
ALGAAS/GAAS
EMITTER
Proton implant isolation of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor structures in fabrication
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 375-378
Cheng, ZQ
;
Sun, XW
;
Xia, GQ
;
Li, HQ
;
Sheng, HM
;
Qian, R
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提交时间:2011/12/17
Carrier transport properties of the (n)nc-Si : H/(p)c-Si heterojunction
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466-2471
Peng, YC
;
Xu, GY
;
He, YL
;
Liu, M
;
Li, YX
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提交时间:2012/03/24
CRYSTALLINE
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