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| Method of manufacturing wafer bonded semiconductor laser device 专利
专利号: US5854090, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29
作者: IWAI, NORIHIRO; KASUKAWA, AKIHIKO
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| AlGaAs系半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1998335735A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者: 石田 真也; 渡辺 昌規
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| 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1998335744A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者: 赤木 与志郎
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1998335737A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者: 篠原 しのぶ
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2865160B2, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1999-03-08
作者: 石川 信
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| 歪量子井戸型半導体レーザ 专利
专利号: JP2861166B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-02-24
作者: 石川 信
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP2863677B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-03-03
作者: 永井 豊; 宮下 宗治; 杵築 弘隆; 三井 興太郎
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1998326940A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: 高橋 孝志
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| Light emitting device having current blocking structure 专利
专利号: US5847415, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: SAKATA, YASUTAKA
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| 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置 专利
专利号: JP1998326941A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: 長井 政春; 青木 徹; 畑中 義式; 石橋 晃
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