QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1998    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence enhancement of porous silicon by organic cyano compounds 期刊论文 Journal of physical chemistry b, 1998, 卷号: 102, 期号: 41, 页码: 7978-7982 作者:  Yin, F;  Xiao, XR;  Li, XP;  Zhang, ZZ;  Zhang, BW 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Low-temperature growth properties of si1-xgex by disilane and solid-ge molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Li, JP;  Liu, XF;  Huang, DD 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Si1-xgex alloys  Low temperature epitaxy  Desorption  Adsorption  Surface morphology  Growth kinetics   Quantum-confined Stark effects of exciton states in V-shaped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wires 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 2031-2037 Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 WELL WIRES  DIMENSIONAL EXCITONS  OPTICAL-PROPERTIES  THRESHOLD CURRENT  ELECTRIC-FIELD  BINDING-ENERGY  DEPENDENCE  ABSORPTION  SPECTRA   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE   Photoluminescence enhancement of porous silicon by organic cyano compounds 期刊论文 journal of physical chemistry b, 1998, 卷号: 102, 期号: 41, 页码: 7978-7982 Yin F; Xiao XR; Li XP; Zhang ZZ; Zhang BW; Cao Y; Li GH; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 SI  LUMINESCENCE  EMISSION  SURFACE  WAFERS