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結晶成長方法 专利
专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
作者:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊
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Semi-insulating surface light emitting devices 专利
专利号: US5789772, 申请日期: 1998-08-04, 公开日期: 1998-08-04
作者:  JIANG, CHING-LONG
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2807250B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-10-08
作者:  鈴木 真理子;  板谷 和彦;  石川 正行;  波多腰 玄一;  渡辺 幸雄
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Semiconductor structures having electrically insulating and conducting portions formed from an AlSb-alloy layer 专利
专利号: US5726462, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10
作者:  SPAHN, OLGA B.;  LEAR, KEVIN L.
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