CORC

浏览/检索结果: 共38条,第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Surface emission laser and method of manufacturing the same 专利
专利号: US5703898, 申请日期: 1997-12-30, 公开日期: 1997-12-30
作者:  OGURA, ICHIRO
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/24
Method for fabricating a silicon semiconductor substrate having an integrated waveguide and an optical fiber coupled thereto 专利
专利号: US5700382, 申请日期: 1997-12-23, 公开日期: 1997-12-23
作者:  SPLETT, ARMIN
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/24
Method and arrangement for arbitrary angle mirrors in substrates for use in hybrid optical systems 专利
专利号: EP0651266A3, 申请日期: 1997-12-10, 公开日期: 1997-12-10
作者:  GOOSSEN, KEITH WAYNE;  WALKER, JAMES ALBERT
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
Buried heterostructure lasers using mocvd growth over patterned substrates 专利
专利号: CA2084820C, 申请日期: 1997-12-09, 公开日期: 1993-07-25
作者:  BERGER PAUL RAYMOND;  DUTTA NILOY KUMAR;  HOBSON WILLIAM SCOTT;  LOPATA JOHN
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/26
化合物半導体の構造形成方法 专利
专利号: JP2717163B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
作者:  河西 秀典;  秋田 健三;  杉本 喜正
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2717016B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者:  細羽 弘之;  関 章憲;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18
GaAs/AlGaAs半導体構造のミラーファセットをエッチングする方法 专利
专利号: JP2711336B2, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1998-02-10
作者:  ペーテル·ブーフマン;  ハンス―ペーテル·デイードリツヒ;  ペーテル·フエイガー
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26
化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザ装置のマウント方法 专利
专利号: JP2704951B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-26
作者:  福島 暢洋
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/23
Method for fabricating a ridge-shaped laser in a channel 专利
专利号: US5674779, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者:  TIJBURG, RUDOLF P.;  HABERERN, KEVIN W.;  FLAMHOLTZ, SHARON J.
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace