QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1997    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gain-coupling distributed feedback semiconductor and method of producing the same 专利 专利号: US5703899, 申请日期: 1997-12-30, 公开日期: 1997-12-30 作者:  MIZUTANI, NATSUHIKO 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ素子 专利 专利号: JP2721274B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04 作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP2714642B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-16 作者:  田中 一弘 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 Method of forming GaAs/AlGaAs hetero-structure and GaAs/AlGaAs hetero-structure obtained by the method 专利 专利号: US5679179, 申请日期: 1997-10-21, 公开日期: 1997-10-21 作者:  HIYAMIZU, SATOSHI;  SHIMOMURA, SATOSHI;  OKAMOTO, YASUNORI 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28 作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Substrate holder for MOCVD 专利 专利号: GB2277748B, 申请日期: 1997-09-24, 公开日期: 1997-09-24 作者:  NOBUAKI, , KANENO;  HIROTAKA, , KIZUKI;  MASAYOSHI, , TAKEMI;  KENZO, , MORI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of making a VCSEL with passivation 专利 专利号: US5661075, 申请日期: 1997-08-26, 公开日期: 1997-08-26 作者:  GRODZINSKI, PIOTR;  LEBBY, MICHAEL S. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2686133B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-08 作者:  冨永 浩司;  吉年 慶一;  山口 隆夫 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置の製造方法 专利 专利号: JP2676761B2, 申请日期: 1997-07-25, 公开日期: 1997-11-17 作者:  大島 久純;  伊藤 俊樹 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 Method for manufacturing a surface emitting laser 专利 专利号: EP0782228A1, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02 作者:  BRILLOUET, FRANÇOIS;  JACQUET, JOEL;  PLAIS, ANTONIA;  GOLDSTEIN, LÉON;  SALET, PAUL 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2020/01/18