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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2721274B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
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化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
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分子線エピタキシヤル装置 专利
专利号: JP2607239B2, 申请日期: 1997-02-13, 公开日期: 1997-05-07
作者:  早川 利郎;  須山 尚宏;  高橋 向星;  山本 三郎
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