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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1994    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 CONTROLLING THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF TI/N-GAAS SCHOTTKY DIODE CONTAINING HYDROGEN BY BIASED ANNEALING 期刊论文 Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1994, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 730-737 S. X. Jin; M. H. Yuan; L. P. Wang; H. Z. Song; H. P. Wang; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/14 schottky barrier (sb)  metal-semiconductor (ms) interfaces  hydrogen  zero bias annealing (zba)  reverse bias annealing (rba)  unified defect model  crystalline semiconductors  states