QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：1991    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 POWER DEPENDENCE OF THE RECOMBINATION PROCESSES IN THE INXGA1-XAS/GAAS SINGLE-QUANTUM-WELL 期刊论文 chinese physics letters, 1991, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 428-431 QIAN SX; WU JY; YUAN S; LI YF; ANDERSSON TG; CHEN ZG; PENG WJ; SHE WL; YU ZX 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 PHOTOLUMINESCENCE  SUPERLATTICES   INFLUENCES OF ALLOY DISORDER AND INTERFACE ROUGHNESS ON OPTICAL-SPECTRA OF INGAAS/GAAS STRAINED-LAYER QUANTUM-WELLS 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 458-465 XU QA; XU ZY; ZHENG BZ; XU JZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 EPITAXIAL MULTILAYERS  DEFECTS  SUPERLATTICES  DISLOCATIONS  DEPENDENCE  THICKNESS   GAAS/GAALAS GRADED INDEX SEPARATE CONFINEMENT SINGLE QUANTUM-WELL SINGLE-MODE WAVE-GUIDE ELECTROABSORPTION LIGHT-MODULATOR 期刊论文 iee proceedings-j optoelectronics, 1991, 卷号: 138, 期号: 5, 页码: 313-318 ZHU LD; XIONG FK; WANG CM; CHEN ZH; HSIE YL; FEAK GAB; BALLANTYNE JM 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 GAALAS SEMICONDUCTOR-LASERS  OPTICAL MODULATION  ULTIMATE LIMIT  ABSORPTION  HETEROSTRUCTURE  DEPENDENCE  DIODE   PRESSURE BEHAVIOR OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED QUANTUM-WELLS WITH DIFFERENT WIDTHS 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 970-976 LI GH; ZHENG BZ; HAN HX; WANG ZP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 DEPENDENCE  STATES   CALCULATION OF SPIN-REORIENTATION TEMPERATURE IN ND2FE14B 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 10, 页码: 6146-6148 ZHONG XF; CHING WY; LAI WY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 MAGNETIC-PROPERTIES  ANISOTROPY  Y2FE14B  ENERGY   THE DEPENDENCE OF THE INVERSION LAYER THICKNESS ON THE FILM THICKNESS IN THIN-FILM SOI STRUCTURES 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 716-719 XIA YW; WANG SW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 MOSFETS  REDUCTION   SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 14040-14046 LI MF; ZHAO XS; GU ZQ; CHEN JX; LI YJ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  SEMICONDUCTORS  CAPTURE  CENTERS  ELECTRONS  EMISSION