题名 | 掺杂压电陶瓷/铁电薄膜的制备和研究; Preparation and study of doped piezoelectric ceramics and ferroelectric films |
作者 | 郭宏霞 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2003 |
授予单位 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
授予地点 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
关键词 | 溶胶-凝胶法 错钦酸铅 掺杂压电陶瓷 稳定溶胶 铁电薄膜 |
其他题名 | Preparation and study of doped piezoelectric ceramics and ferroelectric films |
学位专业 | 物理化学 |
中文摘要 | PZT陶瓷粉体的制备和研究。用溶胶一凝胶法制备了错钦酸铅Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT),研究了溶剂乙二醇单甲醚和水的比例对PZT的晶化温度和晶粒尺寸的影响,结果表明,随溶剂比例的增大,PZT粉体的晶化温度升高晶粒尺寸增大,当V(C_3H_9O_2)/V(H_2O)=4.47时,不仅缩短了溶胶-凝胶过程的时间,且得到的PZT粉体晶化温度低(443℃),晶粒的粒径分布集中(60-70nm)。PZT掺杂压电陶瓷的制备和研究。用同一主族元素对PZT进行掺杂改性实验,制备了Ca-PZT,Sr-PZT,Ba-PZT三个系列的压电陶瓷体系,其中每个体系中又包含1%、3%、5%、7%、9%(10%,11%)不同的掺杂量。经过压片,蒸镀电极,极化处理后测定其由,常数,结果表明,Ba离子的半径是最适合掺杂的离子半径。PZT和PbTIO。(PT)稳定溶胶的制备。在溶胶形成过程中,通过调整溶剂乙二醇单甲醚和水的比例,并加入适当量的乙酞丙酮作稳定剂,在有水体系下制备稳定的PZT和PT溶胶前驱体。该方法省略了制备中的蒸馏过程,简化了PZT和PT稳定溶胶的制备工艺。PZT铁电薄膜的制备。用自制的溶胶进行旋涂制膜,制备了膜层厚度不同的PZT和PT-PZT薄膜,在不同的锻烧温度,锻烧时间下处理为晶态膜,并对晶态膜进行表征,证明获得了钙钦矿结构的PZT晶态膜。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2011-01-17 ; 2011-04-28 |
页码 | 77 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/34309] |
专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭宏霞. 掺杂压电陶瓷/铁电薄膜的制备和研究, Preparation and study of doped piezoelectric ceramics and ferroelectric films[D]. 中国科学院长春应用化学研究所. 中国科学院长春应用化学研究所. 2003. |
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