QQ客服 官方微博 反馈留言

	硅基锗激光器及其制备方法
	刘智 ; 成步文 ; 李传波 ; 李亚明 ; 薛春来 ; 左玉华 ; 王启明
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
公开日期	2013-12-04
申请日期	2013-08-08
专利申请号	CN201310342715.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25814]
专题	半导体研究所_光电系统实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	刘智,成步文,李传波,等. 硅基锗激光器及其制备方法.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。