Low-phonon PbF2:Tm3+-doped crystal for 1.9 µm lasing

	Low-phonon PbF2:Tm3+-doped crystal for 1.9 µm lasing
	Zhang PX(张沛雄) ; Wan YB(万尤宝) ; Yin JG(尹继刚) ; Zhang LH(张连翰) ; Liu YC(刘有臣) ; Hong JQ(洪佳琪) ; Ning KJ(宁凯杰) ; Chen Z(陈喆) ; Wang XY(王向永) ; Shi CJ(施纯俊) ; Hang Y(杭寅)
刊名	laser phys. lett.
	2014-09-19
期号	11 页码:115802
公开日期	2014-11-21
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/11418]
专题	上海光学精密机械研究所_中科院强激光材料重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang PX,Wan YB,Yin JG,et al. Low-phonon PbF2:Tm3+-doped crystal for 1.9 µm lasing[J]. laser phys. lett.,2014(11):115802.
APA	Zhang PX.,Wan YB.,Yin JG.,Zhang LH.,Liu YC.,...&Hang Y.(2014).Low-phonon PbF2:Tm3+-doped crystal for 1.9 µm lasing.laser phys. lett.(11),115802.
MLA	Zhang PX,et al."Low-phonon PbF2:Tm3+-doped crystal for 1.9 µm lasing".laser phys. lett. .11(2014):115802.