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	InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法
	蒋洞微 ; 向伟 ; 王娟 ; 邢军亮 ; 王国伟 ; 徐应强 ; 任正伟 ; 贺振宏 ; 牛智川
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
公开日期	2014-06-25
申请日期	2014-04-16
专利申请号	CN201410153659.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25720]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋洞微,向伟,王娟,等. InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法.

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