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	提高光提取效率发光二极管的制备方法
	刘娜 ; 孙雪娇 ; 孔庆峰 ; 梁萌 ; 王莉 ; 魏同波 ; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 李晋闽
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体器件
公开日期	2014-07-23
申请日期	2014-05-04
专利申请号	CN201410185391.9
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25671]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	刘娜,孙雪娇,孔庆峰,等. 提高光提取效率发光二极管的制备方法.

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