MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

	MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究
	马志芳, 王玉田, 江德生, 赵德刚, 张书明, 朱建军, 刘宗顺, 孙宝娟, 段瑞飞, 杨辉, 梁骏吾
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:7 页码:1242-1245
学科主题	光电子学
公开日期	2014-05-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24972]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	马志芳, 王玉田, 江德生, 赵德刚, 张书明, 朱建军, 刘宗顺, 孙宝娟, 段瑞飞, 杨辉, 梁骏吾. MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究[J]. 半导体学报,2008,29(7):1242-1245.
APA	马志芳, 王玉田, 江德生, 赵德刚, 张书明, 朱建军, 刘宗顺, 孙宝娟, 段瑞飞, 杨辉, 梁骏吾.(2008).MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究.半导体学报,29(7),1242-1245.
MLA	马志芳, 王玉田, 江德生, 赵德刚, 张书明, 朱建军, 刘宗顺, 孙宝娟, 段瑞飞, 杨辉, 梁骏吾."MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究".半导体学报 29.7(2008):1242-1245.