| 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法; 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 | |
| 曹鸿涛 ; 梁凌燕 ; 刘志敏 | |
| 2011-04-20 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及氧化亚锡多晶薄膜的制备方法。本发明利用氧化锡(SnO2)蒸发料和电子束蒸发设备，先低温制备SnOx(1＜x＜2)非晶薄膜，再经高温真空退火处理，获得SnO多晶薄膜。本发明制备工艺简单可控，可在石英玻璃等衬底上大面积均匀成膜，且成膜重复性好。氧化亚锡为p型导电氧化物，可用于制备氧化物基光电子及电子器件。 |
| 公开日期 | 2013-12-16 |
| 专利申请号 | CN200910152532.6 |
| 专利代理 | 胡红娟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10496]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹鸿涛,梁凌燕,刘志敏. 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法, 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法. 2011-04-20. |
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