封装对大功率VCSEL窄脉冲发光特性的影响

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	封装对大功率VCSEL窄脉冲发光特性的影响
	颜颖颖 ; 陈志文 ; 邱剑 ; 刘克富 ; 张建伟
刊名	光学学报
	2020
卷号	40 期号:08 页码:97-104
关键词	激光光学垂直腔面发射激光器激光雷达测距窄脉冲高功率
英文摘要	相比传统边发射激光器,垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束质量高、可靠性高,在激光雷达测距(LiDAR)领域有广泛的应用前景。主要研究直插式TO(transistor outline)封装VCSEL和裸芯片VCSEL在窄脉冲大电流条件下的发光特性,通过Pspice参数扫描分析结合实验结果和理论计算,比较了两种封装激光器的杂散参数大小,并分析了其对激光器发光特性的影响。推导出了脉冲条件下VCSEL的功率转换效率公式,并分析了杂散参数对VCSEL功率转换效率的影响。
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内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/64047]
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室 2.复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系 3.复旦大学先进照明技术教育部工程研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	颜颖颖,陈志文,邱剑,等. 封装对大功率VCSEL窄脉冲发光特性的影响[J]. 光学学报,2020,40(08):97-104.
APA	颜颖颖,陈志文,邱剑,刘克富,&张建伟.(2020).封装对大功率VCSEL窄脉冲发光特性的影响.光学学报,40(08),97-104.
MLA	颜颖颖,et al."封装对大功率VCSEL窄脉冲发光特性的影响".光学学报 40.08(2020):97-104.