Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells | |
FENG LIANG ; DEGANG ZHAO ; DESHENG JIANG ; ZONGSHUN LIU ; JIANJUN ZHU ; PING CHEN ; JING YANG ; LIQUN ZHANG | |
刊名 | Optical Materials Express |
2019 | |
卷号 | 9期号:10页码:3941-3951 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29521] |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | FENG LIANG ; DEGANG ZHAO ; DESHENG JIANG ; ZONGSHUN LIU ; JIANJUN ZHU ; PING CHEN ; JING YANG ; LIQUN ZHANG. Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells[J]. Optical Materials Express,2019,9(10):3941-3951. |
APA | FENG LIANG ; DEGANG ZHAO ; DESHENG JIANG ; ZONGSHUN LIU ; JIANJUN ZHU ; PING CHEN ; JING YANG ; LIQUN ZHANG.(2019).Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells.Optical Materials Express,9(10),3941-3951. |
MLA | FENG LIANG ; DEGANG ZHAO ; DESHENG JIANG ; ZONGSHUN LIU ; JIANJUN ZHU ; PING CHEN ; JING YANG ; LIQUN ZHANG."Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells".Optical Materials Express 9.10(2019):3941-3951. |
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