10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）

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	10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）
	冯婕1,2 ; 李豫东1,2 ; 傅婧1,2,3 ; 文林1,2 ; 郭旗1,2
刊名	原子能科学技术
	2021
卷号	55 期号:12 页码:2135-2142
关键词	时空数据可视分析网吧记录共现群体
ISSN号	1000-6931
英文摘要	为分析星敏感器性能下降和姿态测量精度下降的原因,研究了10 MeV质子辐照下8T全局曝光CMOS图像传感器（CIS）电离总剂量（TID）效应和位移损伤效应对星敏感器典型性能参数的影响。分析了CMOS图像传感器暗电流、暗信号非均匀性和光响应非均匀性随位移损伤剂量（DDD）的变化规律和星敏感器星对角距精度、质心定位精度随DDD的退化规律。该研究从系统角度分析了空间辐射对星敏感器性能参数的影响,为星敏感器在轨姿态误差测量和修正技术的研究奠定基础,同时也为高精度星敏感器的设计提供了一定的理论依据。
CSCD记录号	CSCD:7103809
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8150]
专题	新疆理化技术研究所_多语种信息技术研究室
通讯作者	李豫东1,2
作者单位	1.中国科学院大学 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	冯婕1,2,李豫东1,2,傅婧1,2,3,等. 10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2135-2142.
APA	冯婕1,2,李豫东1,2,傅婧1,2,3,文林1,2,&郭旗1,2.(2021).10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）.原子能科学技术,55(12),2135-2142.
MLA	冯婕1,2,et al."10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）".原子能科学技术 55.12(2021):2135-2142.