一种临界负温度系数热敏电阻的制备方法 | |
张惠敏; 郑阳; 姜辉; 常爱民 | |
2021-02-12 | |
著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种临界负温度系数热敏电阻的制备方法,该方法以VO2为基本成分,掺杂P2O5和金属氧化物,其中金属氧化物为稀土金属氧化物La2O3或碱土金属氧化物CaO,采用高温固相法经研磨,熔融烧结,浆料制备,点珠封装,即得到V‑P‑La/Ca系临界负温度系数热敏电阻。采用熔融烧结方式使P2O5熔融形成玻璃相,将其他两种氧化物的颗粒均匀地粘结,利用稀土金属氧化物或碱土金属氧化物的性质改变VO2的相变温度和电阻率,使其能够在中低温环境下应用。通过本发明所述方法获得的临界负温度系数热敏电阻在253K‑273K之间发生阻值数量级(103‑104)的突降,具有临界负温度特性,且材料体系电性能稳定,一致性较好,适合制造用于中低温下使用的临界热敏电阻器。 |
公开日期 | 2021-02-12 |
申请日期 | 2018-05-16 |
状态 | 已授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8018] |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张惠敏,郑阳,姜辉,等. 一种临界负温度系数热敏电阻的制备方法. 2021-02-12. |
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