GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律 | |
雷琪琪; 郭旗; 艾尔肯·阿不都瓦衣提; 玛丽娅·黑尼; 李豫东; 王保顺; 王涛; 莫镜辉; 庄玉; 陈加伟 | |
刊名 | 发光学报
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2020 | |
卷号 | 41期号:5页码:603-609 |
关键词 | 稀氮 光致发光 电子辐照 GaAsN 退火 |
ISSN号 | 1000-7032 |
英文摘要 | 为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论。结果表明,随着电子注量的增加,GaAsN/GaAs量子阱光学性能急剧降低,注量为1×1015 e/cm2和1×1016 e/cm2的电子束辐照后,GaAsN/GaAs量子阱PL强度分别衰减为初始值的85%和29%。GaAsN/GaAs量子阱电子辐照后650℃退火5 min,样品PL强度恢复到初始值,材料带隙没有发生变化。GaAsN/GaAs量子阱辐照后750℃和850℃各退火5 min后,样品PL强度随退火温度的升高不断减小,同时N原子外扩散使得样品带隙发生约4 nm蓝移。退火温度升高没有造成带隙更大的蓝移,这是由于进一步的温度升高产生了新的N—As间隙缺陷,抑制了N原子外扩散,同时导致GaAsN/GaAs量子阱光学性能退化。 |
CSCD记录号 | CSCD:6753695 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7333] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_省部共建新疆特有药用资源利用重点实验室 |
作者单位 | 1.新疆大学物理科学与技术学院 2.云南师范大学能源与环境科学学院 3.中国科学院大学 4.新疆电子信息材料与器件重点实验室 5.中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷琪琪,郭旗,艾尔肯·阿不都瓦衣提,等. GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律[J]. 发光学报,2020,41(5):603-609. |
APA | 雷琪琪.,郭旗.,艾尔肯·阿不都瓦衣提.,玛丽娅·黑尼.,李豫东.,...&陈加伟.(2020).GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律.发光学报,41(5),603-609. |
MLA | 雷琪琪,et al."GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律".发光学报 41.5(2020):603-609. |
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