| 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法 | |
| 杨成奥; 张宇; 廖永平; 徐应强; 牛智川 | |
| 2017-07-14 | |
| 著作权人 | 协同创新(北京)光电技术有限公司 |
| 专利号 | CN106953235A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种单模GaSb基半导体激光器，包括N型GaSb衬底和外延层，所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层，上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层，其中，在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向下刻蚀，刻蚀深度位于p型上限制层上表面至上波导层下表面之间，形成的一中间高、两边低的脊型波导结构；以及所述脊型波导结构在P型上限制层的部分区域进一步向下刻蚀形成周期性光栅。还提供了一种侧向耦合光栅的单模GaSb基半导体激光器的制备方法。通过该特定光栅结构，减小因为制作光栅而引起的二次外延等材料生长复杂的问题，同时可以有效避免铝的氧化问题。 |
| 公开日期 | 2017-07-14 |
| 申请日期 | 2016-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92818]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 协同创新(北京)光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨成奥,张宇,廖永平,等. 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法. CN106953235A. 2017-07-14. |
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